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回收三极管、三极管产品分类:
1、按材质分: 硅管、锗管;
2、按结构分: NPN 、 PNP;
3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等;
4、按功率分:小功率管、率管、大功率管;
5、按工作频率分:低频管、高频管、**频管;
6、按结构工艺分:合金管、平面管;
7、按安装方式:插件三极管、贴片三极管。
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高
纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都
是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称
为发射较。
(Emitter)、基较b(Base)和集电极c(Collector)。
当b点电位**e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位**b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要**基较电源Eb。
高价意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流
子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称
为发射较电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合
掉的基区空穴由基较电源Eb重新补给,从而形成了基较电流Ibo.根据电流连续性原理得
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基较电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
回收三极管:三极管,全称应为半导体三极管,也称双较型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
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