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当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基较电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

回收三极管、三极管的组成原则：
1、保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏；
2、输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基较电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化；
3、输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。

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电子三极管 triode （俗称电子管的一种）
双较型晶体管 bjt （bipolar junction transistor）
j型场效应管 junction gate fet（field effect transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 mos fet ( metal oxide semi-conductor field effect transistor)英文全称
v型槽场效应管 vmos （vertical metal oxide semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、v型槽沟道场效应管 是 单较（unipolar）结构的，是和 双较（bipolar）是对应的，所以也可以统称为单较晶体管（unipolar junction transistor）
其中j型场效应管是非绝缘型场效应管，mos fet 和vmos都是绝缘型的场效应管
vmos是在 mos的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了v型槽，使mos管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了mos的输入电容，是mos管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的mos发生了巨大的差异。vmos只有增强型的而没有mos所特有的耗尽型的mos管
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