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晶体三极管，是半导体基本元器件，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，

电子三极管 triode （俗称电子管的一种）
双较型晶体管 bjt （bipolar junction transistor）
j型场效应管 junction gate fet（field effect transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 mos fet ( metal oxide semi-conductor field effect transistor)英文全称
v型槽场效应管 vmos （vertical metal oxide semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、v型槽沟道场效应管 是 单较（unipolar）结构的，是和 双较（bipolar）是对应的，所以也可以统称为单较晶体管（unipolar junction transistor）
其中j型场效应管是非绝缘型场效应管，mos fet 和vmos都是绝缘型的场效应管
vmos是在 mos的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了v型槽，使mos管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了mos的输入电容，是mos管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的mos发生了巨大的差异。vmos只有增强型的而没有mos所特有的耗尽型的mos管

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