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电子三极管 triode (俗称电子管的一种)
双较型晶体管 bjt (bipolar junction transistor)
j型场效应管 junction gate fet(field effect transistor)
金属氧化物半导体场效应晶体管 mos fet ( metal oxide semi-conductor field effect transistor)英文全称
v型槽场效应管 vmos (vertical metal oxide semiconductor )
注:这三者看上去都是场效应管,其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、v型槽沟道场效应管 是 单较(unipolar)结构的,是和 双较(bipolar)是对应的,所以也可以统称为单较晶体管(unipolar junction transistor)
其中j型场效应管是非绝缘型场效应管,mos fet 和vmos都是绝缘型的场效应管
vmos是在 mos的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了v型槽,使mos管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了mos的输入电容,是mos管的一种大功率改进型产品,但是结构上已经与传统的mos发生了巨大的差异。vmos只有增强型的而没有mos所特有的耗尽型的mos管
回收三极管、三极管的特性:
三极管基本的和重要的特性:晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基较电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
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